Product Demonstration
符合标准:
AEC-Q101、MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等标准。
适用范围:
适用(yong)于各种(zhong)封装形式的二极(ji)管(guan)、三(san)极(ji)管(guan)、场效应管(guan)、可控硅、IGBT单管(guan)等器件(jian)进行高温(wen)反偏试验(HTRB)和高温(wen)漏流测试（HTIR）。
技术特点:
可实时(shi)监测每个(ge)的结温TJ。
实时监测每个试验器件的漏电流。
每个(ge)回路(lu)漏(lou)电流超上限(xian)电子开关断电保护。
全过程试验(yan)数(shu)据保存(cun)于硬盘中，可输出Excel试验(yan)报(bao)表和绘制全过程漏(lou)电流(liu)IR变化曲线。
