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杭州高裕电子科技股份有限公司

产品展示

Product Demonstration

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IGBT模块高温反偏老化测试系统(同时上下桥上电测试,电子开关保护)

符合标准:

IEC60749 、IEC60747、AQG324、AEC-Q101、JEDEC等标准(zhun)。

适用范围:

适用于(yu)各种封装形式的IGBT模(mo)块、二极管模(mo)块、整流(liu)桥模(mo)块、晶闸管模(mo)块进行高温反偏试验(HTRB)。

技术特点:

可实时监测每个的(de)结(jie)温TJ。

可实现上下桥同时加电测试(shi)。

每个回(hui)路漏电流超上限(xian)电子开(kai)关断(duan)电保(bao)护。

实时监测每个试(shi)验器(qi)件的漏电流。

全过程试验数据保(bao)存(cun)于(yu)硬盘中,可(ke)输出Excel试验报表和绘制全过程漏电流IR变(bian)化曲线。


技术性能

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